电阻应变计
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基底介绍
• BEM（聚醚醚酮薄膜基底)
采用康铜箔/伊文箔和特种PEEK薄膜层压制成；全密封结构，具有温度自补偿和蠕变自补偿功能；剥离强度高，基底刚性强，收缩率低，具有良好的蠕变一致性，重复性、回零、滞后性能优异；极低的吸源率和较好的扛湿热能力，能在80℃以下，90%湿度内正常使用；基底具有一定的韧性；具有较强的耐腐蚀性；适用于C3级别或更高精度的传感器。
• BAM/BYM（聚酰亚胺薄膜基底)
采用康铜箔/伊文箔和特种聚酰亚胺薄膜层压而成，全密封结构，具有蠕变自补偿和温度自补偿功能；剥离强度高，基底刚性强，收缩率低，具有良好的蠕变一致性、重复性，回零、滞后性能优越；耐潮性、耐湿性能力强，有良好的阻值稳定性和可靠性；动态响应性能好；基底具有一定的韧性；适用于C3及以上级别高精度传感器。
用伊文箔制作还可实现弹性模量自补偿，也可实现小尺寸大阻值，用于制作高阻低功耗产品。
